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FDA20N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:22A
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- 描述
- N沟道,500V,22A,260mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA20N50F
- 商品编号
- C462992
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 388W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.39nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- -7.3 A，-200 V，漏源导通电阻RDS(on)最大值为690 mΩ，条件为栅源电压VGS = -10 V，漏极电流ID = -3.65 A
- 低栅极电荷（典型值19 nC）
- 低Crss（典型值25 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- D²-PAK
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器