商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 273pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时，典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 1.5 mΩ
- 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时，典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 130 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- UPS 和能量逆变器
- 储能
- 负载开关