商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 273pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 4 A、20 V,RDS(ON) = 100 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 150 m Ω(VGS = 2.5 V时)
- 采用全新3x3 mm MicroFET封装,高度低至最大0.8 mm
应用领域
-标准降压转换器