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FDY2000PZ
2个P沟道 耐压:20V 电流:350mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY2000PZ
- 商品编号
- C463003
- 商品封装
- SOT-563F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,350mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET 器件融合了多种特性，可在电源转换应用中实现卓越的效率。这些器件针对漏源导通电阻（rDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频 DC - DC 转换器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 2.8 A 时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 122 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 6 V、漏极电流（ID） = 1.7 A 时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 130 mΩ
- 低米勒电荷
- 高频下效率优化
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-DC-DC 转换