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FQB7P20TM
1个P沟道 耐压:200V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB7P20TM
- 商品编号
- C463025
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.632克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V,3.65A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 4 A 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) = 1.45 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值 53 nC）
- 低反向传输电容 (Crss)（典型值 16 pF）
- 经过 100% 雪崩测试