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HGTG12N60A4D
600V 带反并联超快恢复二极管的 N 沟道 IGBT
- 描述
- HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTG12N60A4D
- 商品编号
- C463039
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 54A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@12A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 96ns | |
| 导通损耗(Eon) | 55uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 50uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 30ns |
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