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FDME1024NZT
2个N沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME1024NZT
- 商品编号
- C462997
- 商品封装
- MicroFET(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间（trr）小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的反向恢复时间超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 3.4 A 时,最大 rDS(on) = 66 m Ω
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 2.9 A 时,最大 rDS(on) = 86 m Ω
- 在 VGS = 1.8 V、ID = 2.5 A 时,最大 rDS(on) = 113 m Ω
- 在 VGS = 1.5 V、ID = 2.1 A 时,最大 rDS(on) = 160 m Ω
- 超薄:新型 MicroFET 1.6x1.6 Thin 封装最大厚度为 0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >1600V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 基带开关
- 负载开关