商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 285nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷和极低的rDS(导通)进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 55 A时,最大rDS(导通) = 0.65 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 47 A时,最大rDS(导通) = 0.9 mΩ
- 采用先进的封装和硅片组合,实现低rDS(导通)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管MOSFET
- 同步整流器