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FDBL0210N80实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDBL0210N80

FDBL0210N80

描述
N 沟道 PowerTrench MOSFET,80V,240A,2.0mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDBL0210N80
商品编号
C462994
商品封装
MO-299A​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)240A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)357W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)10nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计,旨在优化栅源电压(V_GS)为 -2.5 V 时的漏源导通电阻(R_DS(ON))。

商品特性

  • 在 V\textGS = 10\textV、I\textD = 80 , \textA 条件下,典型 R\textDS(on) = 1.5 , \textmΩ
  • 在 VGS = 10 \text V、ID = 80 \text A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 130 \text nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 工业电机驱动
  • 工业电源
  • 工业自动化
  • 电池供电工具
  • 电池保护
  • 太阳能逆变器
  • UPS 和能量逆变器
  • 储能
  • 负载开关

数据手册PDF