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FDBL0210N80
FDBL0210N80
- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET，80V，240A，2.0mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL0210N80
- 商品编号
- C462994
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化栅源电压（V_GS）为 -2.5 V 时的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。
商品特性
- 350 mA，-20 V；栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.2 Ω
- 栅源电压（VGS）为 -2.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.6 Ω
- 静电放电（ESD）保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池组