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FDB050AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- N 沟道 PowerTrench MOSFET 60 V，80 A，5 m?，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有较小的 QSYNC，出色的软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB050AN06A0
- 商品编号
- C462993
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 80 A条件下，RDS(on) = 4.3 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，QG(tot) = 61 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源