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NIV1161MTTAG

ESD 16V截止

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描述
NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)影响,并防止其与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案,而低导通电阻(RDS(on))场效应晶体管(FET)可限制信号线上的失真。直插式封装便于进行印刷电路板(PCB)布局,并能实现匹配的走线长度,这对于维持诸如通用串行总线(USB)和低压差分信号(LVDS)协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NIV1161MTTAG
商品编号
C462931
商品封装
WDFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)16V
钳位电压26V@8/20us
击穿电压23V
反向电流(Ir)1uA
属性参数值
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.65pF

数据手册PDF