温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NIV1161MTTAG

ESD 16V截止

描述: NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，并防止其与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直插式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持诸如通用串行总线（USB）和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NIV1161MTTAG
商品编号: C462931
商品封装: WDFN-6(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02克(g)

商品参数

商品概述

NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，并能应对与汽车电池短路的情况。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速差分线（如USB和LVDS协议）之间的恒定阻抗至关重要。

商品特性

低电容（典型值0.65 pF，I/O到地）
符合以下标准的保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）和ISO 10605
集成MOSFET用于电池短路阻断
NIV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

应用领域

汽车高速信号对
USB 2.0/3.0
LVDS
AXI 2/3

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	16V
	钳位电压	26V
	击穿电压	23V
	反向电流(Ir)	1uA

	属性	参数值
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.65pF