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NTB45N06LT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB45N06LT4G
- 商品编号
- C462941
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 更高的额定电流
- 更低的RDS(ON)
- 更低的 VDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的 VSD 规格
- 更低的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 提供无铅封装
应用领域
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路