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NTHS5441T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHS5441T1G
- 商品编号
- C462942
- 商品封装
- ChipFET-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低 RDS(on),高效率,延长电池使用寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 微型 ChipFET 表面贴装封装
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如移动电话、无绳电话和 PCMCIA 卡