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NSS40302PDR2G
NPN+PNP 电流:6A 电压:40V
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- 描述
- 安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSS40302PDR2G
- 商品编号
- C462938
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 576mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@10mA,2.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 8mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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