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NSS40301MZ4T1G实物图
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NSS40301MZ4T1G

NPN 电流:3A 电压:40V

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描述
低VCE(sat)晶体管采用表面贴装技术,具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和高电流增益能力。专为低压、高速开关应用而设计,在这些应用中,经济高效的能源控制至关重要。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSS40301MZ4T1G
商品编号
C463184
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.156克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE)220@0.5A,1.0V
属性参数值
特征频率(fT)215MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))-
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

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