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ESD7M5.0DT5G
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：1A
- 描述
- ESD7M5.0DT5G旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容超低，仅为2 。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESD7M5.0DT5G
- 商品编号
- C463451
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 10.4V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1A | |
| 击穿电压 | 5.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 2.5pF |
商品概述
ESD7M5.0DT5G旨在保护电压敏感元件，使其免受因静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容低至2.5 pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD损坏防护。超小型SOT−723封装非常适合对电路板空间要求苛刻的设计。ESD7M5.0DT5G可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为1.25 pF。由于其电容较低，它非常适合保护高频信号线，如USB2.0高速信号线和天线线路。
商品特性
- 最大电容低至2.5 pF
- 低钳位电压
- 小尺寸外形：0.047英寸×0.047英寸（1.20 mm×1.20 mm）
- 低封装高度：0.020英寸（0.5 mm）
- 耐受电压：5 V
- 低泄漏电流
- 典型响应时间<1.0 ns
- 符合IEC61000−4−2 4级ESD防护标准
- 这是一款无铅器件
应用领域
- USB2.0高速接口
- 天线线路应用