温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQB34P10TM
1个P沟道 耐压:100V 电流:33.5A
- 描述
- 该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB34P10TM
- 商品编号
- C462761
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,16.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.91nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -33.5 A、-100 V，RDS(on) = 60 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -16.75 A
- 低栅极电荷（典型值85 nC）
- 低Crss（典型值170 pF）
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用