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FQP6N80C
1个N沟道 耐压:800V 电流:5.5A
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- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP6N80C
- 商品编号
- C462766
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双Power 33（3 mm X 3 mm MLP）封装中集成了两个60 V N沟道MOSFET。该封装经过优化，具备出色的热性能。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为8.2 A时，最大漏源导通电阻 = 17 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为6.7 A时，最大漏源导通电阻 = 27 mΩ
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池保护-负载开关-桥式拓扑结构