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HGTD1N120BNS9A
1.2kV 5.3A
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- 描述
- HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTD1N120BNS9A
- 商品编号
- C462776
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.9V@1.0A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 67ns | |
| 导通损耗(Eon) | 70uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 90uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |