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FQP47P06

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:60V 电流:47A

  • SMT扩展库
  • 描述

    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FQP47P06
  • 商品编号

    C462765
  • 商品封装

    TO-220F-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.876克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@10V,23.5A
属性参数值
功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.6nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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