FQP47P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:47A
- SMT扩展库
描述
此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQP47P06商品编号
C462765商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.876克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 47A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V,23.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 160W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.6nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
50+¥16.238552¥811.93
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个
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