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FQA8N100C
1个N沟道 耐压:1kV 电流:8A
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA8N100C
- 商品编号
- C462760
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 225W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基二极管单片集成在同一芯片中。
- 低RDS(ON)——将传导损耗降至最低。
- 低VSD——减少体二极管传导损耗。
- 低Qrr——集成肖特基二极管的低Qrr可降低体二极管开关损耗。
- 低栅极电容比（Qg/Qgs）——降低高频下直通或交叉传导电流的风险。
- 小尺寸且热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品。
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小。
- 完全无铅且完全符合RoHS标准。
- 无卤素和锑，为“绿色”器件。
- 通过AEC - Q101标准认证，可靠性高。
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器