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FQA8N100C
1个N沟道 耐压:1kV 电流:8A
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA8N100C
- 商品编号
- C462760
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- RDS(on) = 1.45 Ω(最大值)@ VGS = 10 V, ID = 4 A
- 低栅极电荷(典型值53 nC)
- 低Crss(典型值16 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器