FDS8874
N沟道 MOSFET,电流:16A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8874
- 商品编号
- C3289814
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
SO-8封装的P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- -7.9 A，-30 V。漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.023 Ω，在栅源电压（VGS） = -10 V时
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.035 Ω，在栅源电压（VGS） = -4.5 V时
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路