NTMS5P02R2
单通道P沟道MOSFET,电流:-5.4A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS5P02R2
- 商品编号
- C3289808
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 具有超低导通电阻(RDS(on))的高密度功率MOSFET,可提供更高效率
- 微型SOIC-8表面贴装封装 —— 节省电路板空间
- 二极管具备高速软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极反向电流(IDSS)
- 规定了漏源极雪崩能量
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
- NVMS前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话