FDS6688
N沟道,电流:16A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6688
- 商品编号
- C3289791
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.888nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 401pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 931pF |
商品概述
这款单N沟道功率MOSFET采用先进的MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），可实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用而设计。该器件可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 16 A、30 V。 RDS(ON) = 6 m Ω(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) = 7 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- 超低栅极电荷(典型值40 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器