FDMS8690
N沟道,电流:27A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8690
- 商品编号
- C3288675
- 商品封装
- MLP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 14.0 A 时,最大 rDS(on) = 9.0 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 11.5 A 时,最大 rDS(on) = 12.5 m Ω
- 高性能沟槽技术,实现极低的 r\textDS(on) 和栅极电荷
- 最小化 Qgd(典型值为 2.9 nC)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑 CPU 电源
- 多用途负载点