FDS3170N7
100V N沟道MOSFET,电流:6.7A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3170N7
- 商品编号
- C3279745
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.714nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
商品概述
FDMS8662旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，提供最低的导通状态漏源电阻（rDS(on)）。
商品特性
- R D S (O N) = 28 m Ω(V G S = 6.0 V 时)
- 6.7 A、100 V,RDS(ON) = 26 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关,低栅极电荷
- FLMP SO-8封装:在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
-同步整流器-DC/DC转换器