STL28N60M2
N沟道,电流:19A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL28N60M2
- 商品编号
- C3276630
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道；正常电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻性能
- 100%经过雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品