MIC94030BM4
1个P沟道 耐压:16V 电流:1A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MIC94030BM4
- 商品编号
- C3276677
- 商品封装
- SOT-143
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 13.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 568mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
MIC94030和MIC94031是四端硅栅P沟道MOSFET，在非常小的封装中实现了低导通电阻。 MIC94030/1专为对空间要求严苛的高端开关应用而设计，在4.5V栅源电压下，其典型导通电阻为0.75Ω。该器件也能在2.7V栅源电压下工作。 MIC94030是基本的四引脚P沟道MOSFET。MIC94031则是一款内置栅极上拉电阻的变体产品，在许多应用中可减少系统元件数量。 四端SOT - 143封装允许衬底连接与源极连接相互独立。这种四端配置改善了θJA（增强了散热性能），使模拟开关应用成为可能。 尺寸小、阈值低以及RDS（on）低等特性，使MIC94030/1成为PCMCIA卡睡眠模式或分布式电源管理应用的理想选择。
商品特性
~~- 最小漏源击穿电压为13.5V-在4.5V栅源电压下,典型导通电阻为0.75Ω-在10V栅源电压下,典型导通电阻为0.45Ω-可在2.7V栅源电压下工作-独立衬底连接,便于额外控制-业界最小的表面贴装封装
应用领域
- 分布式电源管理-PCMCIA卡电源管理-电池供电的计算机及外设-手持式条形码扫描仪-便携式通信设备