2SK3386-Z-AZ
N沟道,电流:34A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3386-Z-AZ
- 商品编号
- C3276686
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低VDD使用：(VDS = 3.5 V)
- 驱动电池
- 低噪声系数：典型值NF = 1.8 dB (f = 900 MHz)
- 高功率增益：典型值GPS = 18.0 dB (f = 900 MHz)
- 适用于作为UHF电视调谐器中的射频放大器。
- 自动贴片：压纹带包装
- 小封装：4引脚超迷你模塑封装
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。