2SK1657-T2B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 双散热特性为热传递提供额外途径
- 采用3.3毫米×3.3毫米封装的内部连接半桥配置
应用领域
- CPU核心电源-计算机/服务器外设-负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源