2SJ557-T1B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为高速应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、继电器驱动器和大功率双极型开关晶体管驱动器。 RFM系列产品采用JEDEC TO - 204AA金属封装，RFP系列产品采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。所有这些型号均未内置栅极齐纳二极管。
商品特性
- -6A、-80V和-100V
- 导通电阻rDS(on) = 0.6Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
应用领域
- 标准级应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高质量级应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。