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SPB160N04S2-03实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPB160N04S2-03

N沟道,电流:160A,耐压:40V

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商品型号
SPB160N04S2-03
商品编号
C3276949
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
1.907克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)170nC@10V
输入电容(Ciss)7.32nF
反向传输电容(Crss)750pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.53nF

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(on))可确保功率损耗降至最低并节省能源,使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))可提高效率并延长电池寿命
  • 微型SOT - 23表面贴装封装可节省电路板空间
  • 规定了高温下的漏源极截止电流(IDSS)
  • 通过AEC Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力 - MVSF2N02EL
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

-DC-DC转换器-便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话

数据手册PDF