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IPF017N08NF2SATMA1
N沟道 MOSFET,电流:259A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF017N08NF2SATMA1
- 商品编号
- C3276984
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 259A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@194uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。