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IPB13N03LBG

N沟道,电流:30A,耐压:30V

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商品型号
IPB13N03LBG
商品编号
C3277121
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11nC@05V
输入电容(Ciss)1.355nF
反向传输电容(Crss)74pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)485pF

商品特性

  • 适用于高频直流-直流转换器
  • 针对目标应用,已通过 JEDEC 认证
  • N 沟道 - 逻辑电平
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 优越的热阻
  • 工作温度可达 175 °C
  • 具备 dv/dt 额定值
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准

数据手册PDF