2SK2851TZ-E
N通道MOSFET,电流:5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2851TZ-E
- 商品编号
- C3277136
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常适合用于功率开关应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用等。SUPERFET II FRFET MOSFET优化了体二极管反向恢复性能，可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 在TJ = 150°C时耐压700 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 36 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 226 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 1278 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备