2SK1949L-E
N沟道MOSFET,电流:5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1949L-E
- 商品编号
- C3277219
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
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