- 引脚图
- 焊盘图
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2SK1060-AZ
N沟道,电流:5A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1060-AZ
- 商品编号
- C3277222
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2SK1060、2SK1060-Z 是 N 沟道 MOS 场效应功率晶体管,专为螺线管、电机和灯驱动器设计。
商品特性
- 4V 栅极驱动 - 逻辑电平
- 低导通电阻 RDS(on)
- 无二次击穿
- 专为混合集成电路设计
- 2SJ166-T1B-A
- H5N5016PL-E
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