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2SK1772HYTR-E

N沟道MOSFET,电流:1A,耐压:30V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK1772HYTR-E
商品编号: C3277283
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IRF6711STRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有MICRO - 8尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了性能提升。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，将先前的最佳热阻降低80%。 IRF6711STRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低封装电感，可显著降低开关损耗。较低的损耗使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6711STRPbF针对12伏总线转换器的同步降压控制FET插座进行了优化。

商品特性

符合RoHS标准且无卤素
低外形（<0.7 mm）
支持双面散热
超低封装电感
针对高频开关进行优化
针对控制FET应用进行优化
与现有表面贴装技术兼容
100%进行Rg测试

应用领域

CPU核心DC-DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	1A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@1mA

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	85pF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	65pF