SIZ350DT-T1-GE3
双N沟道,电流:18.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ350DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3277304
- 商品封装
- Power-33-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为高达400 MHz频段的宽带大信号放大器和振荡器应用而设计。N沟道增强型
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 高侧和低侧MOSFET针对50%占空比形成优化组合
- 优化的RDS - Qg和RDS - Qgd品质因数提高高频开关效率
- 经过100% Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压
- DC/DC转换
- 半桥
- 负载点