商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
专为在高达500 MHz频率下使用推挽电路的宽带商业应用而设计。这些器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。
商品特性
- 性能有保障
- 在额定输出功率下进行100%坚固性测试
- 低热阻
- 低Crss — 在VDS = 28 V时典型值为20 pF
应用领域
- 调频广播
- 电视频道频段