商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在175 MHz、50 V条件下保证性能
- 输出功率 — 300 W
- 增益 — 14 dB(典型值16 dB)
- 效率 — 50%
- 低热阻 — 0.35°C/W
- 在额定输出功率下进行耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片以提高可靠性
应用领域
- 宽带商业应用
- 调频广播
- 电视频道频段
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