商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代快速CoolMOST™ 1)功率MOSFET
- 高阻断能力
- 极低电阻
- 雪崩额定值适用于无钳位电感开关（UIS）
- 芯片厚度减小，热阻低
- 表面与散热器隔离
- 引脚与散热器之间的耦合电容低
- 节省PCB空间
- 与散热器之间的爬电距离增大
- 引脚排列便于应用
- 电流路径电感低
- 高可靠性
应用领域
- 降压/升压斩波器-针对升压配置PFC级优化
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