商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
专为宽带大信号放大器和振荡器应用而设计，工作范围高达400 MHz，可采用单端或推挽配置。N沟道增强型
商品特性
- 低热阻:0.35°C/W
- 在额定输出功率下进行了耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性
应用领域
- 调频广播或电视频道频段的固态发射机和放大器
相似推荐
其他推荐