CLF3H0060-30U
宽带射频功率氮化镓HEMT,电流:30W,耐压:150V
- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- CLF3H0060-30U
- 商品编号
- C3277350
- 商品封装
- SOT-1227A
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.06pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.26pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.17pF |
商品概述
专为频率高达175 MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。
商品特性
- 30 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)
- 高效率
- 低热阻
- 出色的耐用性
- 专为直流至6.0 GHz频率范围内的宽带操作而设计
应用领域
- 宽带商业应用
- 调频广播
- 电视频道频段