CPH6318-TL-E
P沟道,电流:-6A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH6318-TL-E
- 商品编号
- C3277414
- 商品封装
- CPH-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
专为在高达500 MHz频率下使用单端电路的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于FM广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。N沟道增强型
商品特性
- 低导通电阻。
- 高速开关。
- 1.8V驱动。
- P沟道硅MOSFET