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MCB90N12-TP
1个N沟道 耐压:120V 电流:90A
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCB90N12-TP
- 商品编号
- C3277447
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.514nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
专为 HF/VHF 频率范围内的专业发射机应用设计的硅 N 沟道增强型垂直 D-MOS 晶体管。 该晶体管采用带陶瓷帽的 4 引脚 SOT123A 法兰封装。所有引脚与法兰绝缘。
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计,实现低导通电阻 RDS(ON)
- 湿度敏感度等级 1 级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准(后缀“P”表示符合 RoHS 标准)