PHB20NQ20T118
N沟道,电流:20A,耐压:200V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHB20NQ20T118
- 商品编号
- C3277461
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过认证。
商品特性
- 低热阻,工作功率更高
- 低导通电阻,传导损耗低
- 开关特性快速,适用于高频应用
应用领域
- 直流-直流转换器
- 通用开关