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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLZ34NSPBF

N沟道,电流:30A,耐压:55V

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商品型号
IRLZ34NSPBF
商品编号
C3277478
商品封装
D2PAK​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@4V
耗散功率(Pd)68W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)25nC
输入电容(Ciss)880pF
反向传输电容(Crss)94pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFETTM工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻,从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 逻辑电平栅极驱动
  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装(IRLZ34NS)
  • 薄型通孔(IRLZ34NL)
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定
  • 无铅

数据手册PDF