IRFS59N10DPBF
N沟道,电流:59A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFS59N10DPBF
- 商品编号
- C3277490
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.37nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一款极其高效可靠的器件，可用于汽车及众多其他应用。
商品特性
- 低栅 - 漏电荷,以降低开关损耗
- 全面表征的电容,包括有效输出电容Coss,以简化设计
- 全面表征的雪崩电压和电流
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 不间断电源/电机控制逆变器
- 半桥和全桥DC - DC转换器
- 全桥逆变器