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STB42N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:33A
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- 描述
- N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、33 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB42N65M5
- 商品编号
- C3277503
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
NexFET功率MOSFET专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- SON 5mm×6mm塑料封装
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制FET应用进行优化