IRFW610BTM
N沟道,电流:3.3A,耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW610BTM
- 商品编号
- C3277486
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性使该产品成为汽车及其他各种应用中极为高效可靠的器件。
商品特性
- 3.3A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 1.5Ω
- 低栅极电荷(典型值7.2nC)
- 低Crss(典型值6.8pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关式DC/DC转换器-开关电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制