NVB5405NT4G
1个N沟道 耐压:40V 电流:116A 电流:16.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVB5405NT4G
- 商品编号
- C3277475
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 高电流承载能力
- 低栅极电荷
- 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力 - NVB5405N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电子制动系统-电子助力转向系统-桥接电路